北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學中心王新強教授與北京大學電子顯微鏡實驗室王濤高級工程師探測到褶皺二維氮化鎵（GaN）的聲子行為。
“氮化鎵射頻電子器件與應用分會”上，深圳市匯芯通信技術有限公司、國家5G中高頻器件創新中心副總經理、CTO 許明偉做了“FLAB：特色射頻半導體的技術創新模式探索”的主題報告，分享了國家5G中高頻器件創新中心FLAB三代特色半導體工藝技術創新的新模式，包括硬件建設、軟件建設、開發體系、技術路線等。
半導體行業作為高新技術的代表，得到了國家政策的大力支持和各地政府的積極投資。
商務部印發《支持蘇州工業園區深化開放創新綜合試驗的若干措施》。
“氮化鎵射頻電子器件與應用”技術分會上，香港科技大學高通光學實驗室主任、教授、高武半導體（香港）有限公司創始人俞捷，小米通訊技術有限公司高級硬件研發工程師孫躍，中國科學技術大學微電子學院教授、安徽云塔電子科技有限公司創始人左成杰，西安電子科技大學教授薛軍帥，深圳市匯芯通信技術有限公司、國家5G中高頻器件創新中心副總經理、CTO許明偉，蘇州能訊高能半導體有限公司研發總監張新川，中國科學院半導體研究所副研究員張連，九峰山實驗室熊鑫，江南大學集成電路學院博士劉濤，中國科學院微電子研究所張國祥等嘉賓們帶來精彩報告
匯芯通信/國家5G中高頻器件創新中心誠邀產業同仁共聚論壇，蒞臨 B27號展位參觀交流、洽談合作。
北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、寬禁帶半導體研究中心、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室許福軍、沈波團隊創新
匯芯通信/國家5G中高頻器件創新中心誠邀產業同仁共聚論壇，蒞臨 B27號展位參觀交流、洽談合作。
國家知識產權局信息顯示，聯華電子股份有限公司申請一項名為半導體結構以及其形成方法的專利，公開號CN 118900619 A，申請日期為
11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先進半導體技術應用創新展將在蘇州國際博覽中心舉辦。“國創中心（蘇州）”誠摯邀請產業同仁共聚論壇，蒞臨B08-B09號展位參觀交流、洽談合作。
國家知識產權局信息顯示，南京南瑞半導體有限公司申請一項名為一種溝槽型SiC器件及其制備方法的專利，公開號CN 118888594 A，申
國家知識產權局信息顯示，安徽長飛先進半導體有限公司申請一項名為半導體器件的處理方法及半導體器件的專利，公開號CN 118888436
國家知識產權局信息顯示，飛锃半導體（上海）有限公司申請一項名為半導體結構及其形成方法的專利，公開號 CN 118888448 A，申請
國家知識產權局信息顯示，上海漢虹精密機械有限公司申請一項名為一種單晶爐碳化硅爐專用的KF40電動蝶閥的專利，公開號 CN 118881
國家知識產權局信息顯示，粵芯半導體技術股份有限公司申請一項名為一種光刻機對準方法的專利，公開號CN 118838133 A，申請日期為
國家知識產權局信息顯示，重慶芯聯微電子有限公司申請一項名為掩膜版圖形及其優化方法的專利，公開號 CN 118838110 A，申請日期
國家知識產權局信息顯示，長鑫存儲技術有限公司申請一項名為半導體結構及制備方法的專利，公開號CN 118829192 A，申請日期為2023
國家知識產權局信息顯示，深圳市聯微半導體設備有限公司取得一項名為定位裝置的專利，授權公告號CN 221885077 U，申請日期為2024
作為IFWS的重要分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學高通光學實驗室、高武半導體，小米通訊技術，匯芯通信/國家5G中高頻器件創新中心，中國科學技術大學、云塔電子，能訊高能半導體，中國科學院半導體研究所，九峰山實驗室，江南大學，中國科學院微電子研究所的專家們分享精彩主題報告。
國家知識產權局信息顯示，山東粵海金半導體科技有限公司取得一項名為種專用的碳化硅襯底Wafer倒角裝置的專利，授權公告號CN 2218