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飛锃半導體申請半導體結構及其形成方法專利,提高器件性能和可靠性

發表于:2024-11-04 來源:半導體產業網 編輯:

國家知識產權局信息顯示,飛锃半導體(上海)有限公司申請一項名為“半導體結構及其形成方法”的專利,公開號 CN 118888448 A,申請日期為2024年7月。

專利摘要顯示,本申請提供半導體結構及其形成方法,所述半導體結構包括:半導體襯底,所述半導體襯底表面形成有外延層,所述外延層中形成有第一摻雜區、位于所述第一摻雜區中的第二摻雜區以及位 于所述第二摻雜區中的第三摻雜區所述外延層表面形成有暴 露部分所述第三摻雜區的柵極氧化層和柵極層;第一開口,位 于所述暴露的第三摻雜區中;第一金屬硅化物,位于所述第一 開口中;層間介質層,位于所述第一金屬硅化物表面。本申請提 供一種半導體結構及其形成方法,可以提高第一金屬硅化物的 對準精度;提高第一金屬硅化物和第二金屬硅化物的電連接 性;提高電場分布,提高器件性能和可靠性。

 

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