香港科技大學（HKUST）的研究人員開發了一種新的集成技術，用于高效集成III-V族化合物半導體器件和硅，為低成本、大容量、高速度
2024年1月16日消息，據國家知識產權局公告，華為技術有限公司申請一項名為構件、晶體管器件、功率器件及制造構件的方法，公開號C
據國家知識產權局公告，北京大學申請一項名為一種半導體器件結構及其制備方法和應用，公開號CN117293183A，申請日期為2023年9月
以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導體材料，相比第一代單質半導體，在高頻性能、高溫性能方面優異很多，發展前
以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導體材料，相比第一代單質半導體，在高頻性能、高溫性能方面優異很多，發展前
日程出爐！2023化合物半導體器件與封裝技術論壇將于10月12-13日在深圳召開
2023化合物半導體器件與封裝技術論壇將于10月12-13日在深圳召開。
近日，2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通
近日，2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通
2023年7月26-28日，2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指
功率與光電半導體器件的設計與集成應用在提高能源利用效率、推動通信技術進步、促進科學研究和醫療技術革新等方面發揮著至關重要
7月26-28日，江蘇省第三代半導體研究院邀您參加在西安召開的2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇。CASICON 2023西安論壇
隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限，以第三代半導體為代表的化合物半導體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等
以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表的第三代先進半導體器件是全球智能、綠色、可持續發展的重要支撐力量，其在光電子，射頻
2023年7月26-28日，2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇將于西安召開。西安電子科技大學微電子學院在讀博士研究生王逸飛
GaN基HEMTs因其在高壓、大功率、高溫等領域的應用前景而備受關注。由于GaN的寬禁帶和高擊穿場強，Gan基器件可以提供更快的開關速
2023年7月26-28日，2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇將于西安召開。中國電子科技集團公司第十三研究所重點實驗室副主
隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限，以第三代半導體為代表的化合物半導體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等
2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇將于7月26-28日在西安召開。
近日，中國科大微電子學院兩篇論文入選第35屆功率半導體器件和集成電路國際會議（IEEE ISPSD，全稱：IEEE International Symposi