據國家知識產權局公告，北京大學申請一項名為“一種半導體器件結構及其制備方法和應用“，公開號CN117293183A，申請日期為2023年9月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種半導體結構及其制備方法和應用，屬于半導體技術領域。本發明提出的半導體器件結構中，互補溝道層材料為氧化物半導體材料，具有寬禁帶的特點，可以獲得較低的器件關態電流，且利用溝道層材料為輕摻雜或者無摻雜的半導體襯底材料，與摻雜類型相反的源區和漏區一起組成了具體低泄漏電流特性的反偏PIN結。此外，由于漏區與底層柵導電層之間存在著一定大小的橫向間距，使得靠近漏區的溝道層表面不受柵控，可以進一步降低器件的關態電流。因此，本發明提出的半導體器件結構，關態電流明顯低于相同尺寸、相同半導體襯底材料的CMOS器件。

（來源：金融界）