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廈門大學寬禁帶半導(dǎo)體研究組在半導(dǎo)體能谷調(diào)控方面取得重要進展

發(fā)表于:2022-12-09 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 編輯:

 近日,廈門大學康俊勇教授團隊采用鐵電柵控方法,首次實現(xiàn)了對單層和雙層WS2的非易失性能谷調(diào)控,并在室溫下獲得了較高的谷極化率。這一研究將為室溫谷電子器件的開發(fā)打下基礎(chǔ),研究成果發(fā)表于著名學術(shù)期刊ACS Nano。

能谷指的是材料能帶中的極值點,是電子的一個新的自由度。基于對能谷屬性的編碼和探測,谷電子器件在信息存儲、處理和傳輸領(lǐng)域有重要的應(yīng)用前景。二硫化鎢(WS2)具有較強的自旋-軌道耦合、較高的量子產(chǎn)率和較大的激子結(jié)合能,是研究能谷特性的理想載體。為了實現(xiàn)谷電子器件的廣泛應(yīng)用,一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn)是保持高的谷極化率,即將電子局域在動量空間中的一個能谷中。

 為了實現(xiàn)半導(dǎo)體材料自旋-能谷特性的有效調(diào)控,研究團隊已開展了一系列的探索,曾利用相變工程【ACS Nano, 2021, 15: 8244-8251】、等離子激元共振【ACS Appl. Mater. Interfaces, 2021, 13: 35097-35104】和寬禁帶半導(dǎo)體界面耦合【Science China-Materials, 2022, DOI: 10.1007/s40843-022-2138-x;Physica Status Solidi-Rapid Research Letters, 2021, 2000493】等手段提升半導(dǎo)體的谷極化率和自旋能谷分裂。在諸多調(diào)控手段中,電操控能與現(xiàn)有的MOS技術(shù)結(jié)合,是一種方便直接的方法。根據(jù)理論預(yù)測,要有效地調(diào)控WS2的谷極化,需要一個極大的柵電場,這對于器件應(yīng)用來說是不現(xiàn)實的。因此,用適中的柵壓實現(xiàn)對谷特性的有效電控制是實際應(yīng)用的關(guān)鍵步驟。

鐵電柵控是一種有效調(diào)制二維半導(dǎo)體電學性質(zhì)的方法。研究團隊通過引入鐵電PZT作為背柵極介質(zhì),利用其超強的表面極化場,可以實現(xiàn)對單層和雙層 WS2中谷激子特性的有效電調(diào)控。當金屬頂柵與WS2直接接觸時,鐵電柵調(diào)控作用主要由靜電摻雜效應(yīng)主導(dǎo),調(diào)控效果較弱。通過將金屬頂柵與WS2絕緣,發(fā)現(xiàn)主導(dǎo)調(diào)控機制轉(zhuǎn)變?yōu)殪o態(tài)表面極化場、電子−聲子耦合和表面態(tài)的動態(tài)俘獲/釋放的綜合作用。實驗觀測到激子能量、光致發(fā)光強度和谷極化率都存在較強的柵電壓依賴關(guān)系。在非共振激發(fā)條件下,單層和雙層WS2在室溫谷極化率分別可達33.3%和43.5%(15 V柵壓)。由于鐵電的非易失性,即使在去除柵極電壓之后,調(diào)制效應(yīng)仍然可以保持。

圖 1 鐵電柵控WS2器件結(jié)構(gòu)示意圖、PZT的表面極化場和WS2的能谷極化的柵電壓依賴關(guān)系。

圖 2 (a)單層(ML)和(b)雙層(BL)WS2谷極化率的溫度依賴關(guān)系;(c)不同調(diào)控手段下WS2的谷極化率(非共振激發(fā)條件)。

  該工作表明,通過鐵電柵控可以實現(xiàn)單層和雙層WS2中谷激子特性的非易失性電操控,其出色的谷極化特性為材料走向?qū)嶋H應(yīng)用提供了一種方便有效的方案。

   相關(guān)研究成果以“Nonvolatile Electrical Valley Manipulation in WS2 by Ferroelectric Gating”為題在線發(fā)表在ACS Nano期刊上,論文第一作者為李煦副教授,通訊作者為吳雅蘋教授、吳志明教授和李書平教授。東南大學李玲龍副研究員也參與了此項研究工作。

近年來,團隊在新型半導(dǎo)體材料及異質(zhì)結(jié)構(gòu)的設(shè)計、生長、物性調(diào)控和器件應(yīng)用等方面取得了系列研究成果,部分代表性工作如下:

 (1)X. Zhou, et al., Direct synthesis of moiré superlattice through chemical vapor deposition growth of monolayer WS2 on plasma-treated HOPG. Nano Research, 2022, 15: 8587–8594

(2)X. Zeng, et al., Modulating the intralayer and interlayer valley excitons in WS2 through interaction with AlGaN. Science China-Materials, 2022, doi: 10.1007/s40843-40022-42138-x

(3)H. Liu., et al., Enhanced Valley Splitting in Monolayer WSe2 by Phase Engineering. ACS Nano, 2021, 15: 8244-8251

(4)X. Li, et al., Review of Anisotropic 2D Materials: Controlled Growth, Optical Anisotropy Modulation, and Photonic Applications. Laser & Photonics Reviews, 2021, 15: 2100322

(5)G. Liu, et al., Enhancement of Room-Temperature Photoluminescence and Valley Polarization of Monolayer and Bilayer WS2 via Chiral Plasmonic Coupling. ACS Applied Materials & Interfaces, 2021, 13: 35097-35104

(6)Q. He, et al., Deeply Exploring Anisotropic Evolution Towards Large-Scale Growth of Monolayer ReS2. ACS Applied Materials & Interfaces, 2020, 12: 2862-2870

(7)J. Hou, et al., Reduced turn-on voltage and boosted mobility in monolayer WS2 transistors by mild Ar+ plasma treatment. ACS Applied Materials & Interfaces, 2020, 12: 19635-19642

(8)J. Zhou, et al., Strain manipulation of the polarized optical response in two-dimensional GaSe layers. Nanoscale, 2020, 12: 4069-4076

論文鏈接: https://doi.org/10.1021/acsnano.2c07469

(來源:廈大物理)

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