面對外界風險挑戰(zhàn)，芯塔電子堅持本土創(chuàng)新，加大研發(fā)投入，攻堅關(guān)鍵核心技術(shù)，面向三代半新賽道加快構(gòu)建核心技術(shù)優(yōu)勢。依靠十多年的技術(shù)積累，芯塔電子通過與合作單位共同研發(fā)柵介質(zhì)的核心工藝技術(shù)，研究柵氧的物理機理，改進了MOS柵的可靠性和溝道遷移率，使得具有自主的知識產(chǎn)權(quán)的SiC MOSFET器件具有更小的導通電阻，性能達到國際先進水平。
芯塔電子1200V SiC MOSFET應用測試
國外知名C公司1200V SiC MOSFE應用測試
作為SiC功率器件國產(chǎn)化的先行者，芯塔電子SiC MOSFET的產(chǎn)品設計、制造、封裝等各環(huán)節(jié)均在國內(nèi)完成。芯塔電子表示，該系列產(chǎn)品加快了中國SiC MOSFET器件的國產(chǎn)化進程（包括自主的IP、材料、設計、工藝等），彰顯了我司科技創(chuàng)新的核心競爭力。芯塔電子SiC 1200V 80-40mΩ MOSFET器件已經(jīng)給國內(nèi)的重要客戶進行了送樣和銷售，包括軍工、新能源汽車、充電樁等領(lǐng)域，同時也已獲得眾多客戶的咨詢和明確需求，預計今年營收會有爆發(fā)性增長。
據(jù)了解，依靠十多年的技術(shù)積累與研發(fā)，芯塔電子已形成比較完整的功率器件產(chǎn)品體系，包括6英寸SiC肖特基二極管芯片，650V-1200V 40多種規(guī)格的第五代SiC肖特基二極管器件，SiC MOSFET器件和模塊。公司目前已積累上百家客戶資源，并進入了行業(yè)標桿客戶。在資本方面，獲得了政府的有力支持和頭部資源投資，此舉將助推公司更加快速的發(fā)展。未來，芯塔電子將加快創(chuàng)新驅(qū)動，攜手國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈共同助力中國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
芯塔電子是國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導體功率器件和應用解決方案提供商，堅持以自主創(chuàng)新為核心，致力于先進半導體功率器件的國產(chǎn)化。公司擁有業(yè)界資深技術(shù)團隊，創(chuàng)始人倪煒江博士是中國第三代半導體功率器件研發(fā)和量產(chǎn)的先驅(qū)者之一。核心團隊來自浙江大學、中科院、海外知名院校及業(yè)界知名公司，具有深厚的產(chǎn)品研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。產(chǎn)品應用于風電光伏、高端電源、5G通訊、新能源汽車、充電樁、儲能、電能質(zhì)量治理、工業(yè)變頻、白色家電等領(lǐng)域。
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