近日，備受矚目的第31屆半導體年度獎頒獎典禮在日本東京舉行。來自濟南的半導體企業——山東天岳先進科技股份有限公司，憑借其在碳化硅襯底材料技術上取得的革命性突破，榮獲由日本權威半導體媒體《電子器件產業新聞》頒發的“半導體電子材料”類金獎。這是中國企業在該獎項設立31年以來的首次問鼎，標志著我國在半導體關鍵基礎材料領域實現了歷史性的重大突破，彰顯了中國新一代半導體材料技術的國際領先地位。

半導體年度獎由日本最具公信力的半導體產業專業媒體《電子器件產業新聞》主辦，旨在從全球范圍內表彰在設備、器件及材料三大領域的杰出技術創新，該獎項以嚴苛的評選標準和極高的行業權威性著稱。此次，是中國企業在該獎項設立31年以來的首次問鼎。

山東天岳先進科技股份有限公司市場總監王雅儒介紹，該獎項是由日本的行業專家從全球的優秀技術中投票選舉產生，之前獲獎的都是英偉達索尼美光東芝等知名企業，本次能榮獲金獎，體現了天岳公司在國際上的影響力，在眾多的電子材料當中，該獎項首次將最高榮譽授予了碳化硅襯底材料，不僅是對碳化硅行業廣闊前景的一種關注和認可，更是對我國半導體產業發展的肯定。

此次，天岳先進能夠歷史性獲獎，和企業長期聚焦于碳化硅襯底材料技術，并在此領域取得的革命性突破密不可分。碳化硅作為第三代半導體的基石，其襯底材料的品質與制備技術直接決定了整個產業鏈的性能、成本和下游應用的普及度，是支撐新能源汽車、特高壓輸電、5G／6G通信、數據中心等戰略新興產業發展的根本所在。長期以來，高品質、大尺寸碳化硅襯底的制備技術壁壘極高，是國際知名企業競爭的焦點。

山東天岳先進科技股份有限公司市場總監王雅儒介紹，想要實現碳化硅襯底材料優良的物理性能，就必須在制備過程當中保證原子排列是非常均一的，就相當于是在一個黑匣子里面去控制原子排列，每一層的結構都必須是一樣的，或者說材料內部的任何一個地方取出來的成分和結構都必須得是這樣的，它的制備過程是非常精密的。另外這種材料也非常硬，它的硬度僅次于金剛石，要把它加工成0.3毫米的片狀狀態，它表面的加工精度要達到0.1納米，所以這個材料的制備和加工的技術壁壘都非常高。山東天岳先進科技股份有限公司自成立以來十幾年堅持自主創新，鼓勵研發人員自己提出課題，逐個攻破，在業內率先突破了12英寸技術（碳化硅襯底技術），這也是全球最大尺寸，實現了從跟跑到領跑的跨越。

當前，全球碳化硅產業格局正經歷深刻調整。此次榮獲半導體年度獎金獎，不僅是天岳先進發展歷程中的重要里程碑，也有力證明了中國企業在突破半導體關鍵核心技術領域所具備的創新能力。

“這次獲獎給我們注入了更大信心和動力，我們將以此次金獎為新起點，加速構建覆蓋研發，量產到應用的全球核心競爭力，把企業做成國際著名的半導體公司，為未來科技產業發展注入中國力量。”山東天岳先進科技股份有限公司黨委書記夏寧武說。

近年來，濟南逐步構建起以服務器為核心，半導體材料為引領，集成電路為基礎的電子信息產業發展格局，2024 年，全市電子信息產業實現營收1643.9億元，同比增長51.7%，增速高于全國43.7個百分點，位居全省首位；2025年1-4月實現營收948.2億元，同比增速182.4%。濟南在半導體材料研制、EDA工具研發、存儲控制及加解密芯片研發、功率器件和分立器件制造等領域形成了自己的特色，尤其在寬禁帶半導體材料方面走在全國前列。

來源：天下泉城客戶端