3月24日，位于莫斯科的澤列諾格勒納米技術中心報告稱，已經(jīng)完成俄羅斯第一臺350nm光刻機的開發(fā)，已做好批量生產(chǎn)這款350nm光刻機的準備。澤列諾格勒納米技術中心正在根據(jù)第二份國家合同推進開發(fā)130nm光刻機，預計2026年完成。

莫斯科市長Sergei Sobyanin表示：“世界上只有不到10個國家/地區(qū)能夠制造這種半導體制造的關鍵設備?，F(xiàn)在，俄羅斯成為其中之一。”

Sergei Sobyanin指出，俄羅斯的光刻系統(tǒng)與外國同行有顯著不同。這是第一次使用固態(tài)激光器作為光源——功率強大、節(jié)能、壽命更長、光譜更窄。

微芯片制造涉及通過分層工藝在晶圓上創(chuàng)建數(shù)十億個微小的電子元件。光刻是將電路圖案從掩模（模板）轉移到晶圓上的步驟，從而實現(xiàn)后續(xù)的刻蝕和沉積步驟以構建芯片。

光刻機在微芯片制造中起著關鍵作用，是芯片制造過程中將集成電路的復雜設計圖案化到硅晶圓上的核心工具。對于微芯片制造而言，光刻機不僅僅是眾多工具中的一種——它們是整個制造過程的關鍵，決定了晶圓廠的可行性和技術范圍。

光刻機有兩種類型——DUV（深紫外）和 EUV（極紫外）光刻機。DUV和EUV設備的光源和波長不同，這直接影響它們可以創(chuàng)建的特征的大小和復雜性。

DUV設備使用準分子激光器（248nm的氟化氪（KrF）或193nm的氟化氬 （ArF）發(fā)射深紫外光；EUV設備使用激光產(chǎn)生等離子體（LPP）系統(tǒng)，其中CO?激光器噴射錫液滴以產(chǎn)生13.5nm的極紫外光。

俄羅斯開發(fā)的光刻機使用固態(tài)激光器，與使用氣體激光器的DUV和EUV光刻機不同。

固態(tài)激光器在二極管泵浦下具有更高的光學轉換效率（高達20%~30%），而CO?等氣體激光器效率較低（10%~15%）。固態(tài)激光器使用摻雜固體（晶體/玻璃）作為增益介質，不同于氣體激光器（氣態(tài)介質），可以將增益介質視為激光器內(nèi)部的“燃料”或“引擎”，它激發(fā)來自外部來源（如手電筒燈泡或電）的能量，并將其轉化為與激光器相關的強大聚焦光束。

正如莫斯科市長所說，世界上只有不到10個國家/地區(qū)能夠制造光刻機。它們包括荷蘭、日本、美國、中國、俄羅斯等等。

荷蘭是全球光刻機領導者。ASML為全球市場批量生產(chǎn)DUV和EUV光刻機。雖然上面列出的其他國家/地區(qū)有能力制造DUV（28nm及以上）設備，但僅ASML能夠生產(chǎn)EUV（7nm及以下）系統(tǒng)。

俄羅斯有少數(shù)幾家公司使用進口DUV設備運營晶圓廠。俄羅斯的主要參與者Mikron（總部位于莫斯科附近的澤列諾格勒）可以批量生產(chǎn)90nm芯片。2020年，Mikron獲得65nm工藝的資格，但其產(chǎn)能尚不確定。

俄羅斯希望到2027年實現(xiàn)28nm本地芯片制造，到2030年實現(xiàn)14nm本地芯片制造。

2024年10月有報道稱，俄羅斯已撥款超過2400億盧布（25.4億美元）支持一項大規(guī)模計劃，到2030年取代外國芯片制造設備。該計劃涉及啟動110個研發(fā)（R&D）項目，以減少對進口晶圓設備的依賴。

（來源：集微）