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Ⅲ族氮化物是典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，GaN電力電子器件已廣泛用于電力電子領(lǐng)域。AlGaN/GaN 結(jié)構(gòu)能夠產(chǎn)生高濃度?(>1×1013?cm?2)和高遷移率?(~2000 cm2/V·s) 的二維電子氣。結(jié)合?GaN 的高臨界電場?(~3.3 MV/cm)，基于AlGaN/GaN 的功率電子設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更快的速度、更低的導(dǎo)通電阻和更高的擊穿電壓?(BVs)。?
2025年2月26-28日，”2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶融創(chuàng)施柏閣酒店舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與三安光電股份有限公司共同主辦，極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦，重慶郵電大學(xué)、重慶大學(xué)、湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司等單位協(xié)辦。???
南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院 教授陳鵬受邀將出席論壇，并帶來《高壓GaN基SBD功率器件研究進(jìn)展》的主題報告，報告將分享其課題組近年來通過研究GaN SBD的擊穿機(jī)制和器件工藝，研制超高壓/低開起的GaN SBD的有關(guān)成果。研究進(jìn)展詳情，敬請關(guān)注！?
嘉賓簡介
陳鵬，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，教授
陳鵬，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，教授。2000年12月在南京大學(xué)物理系獲理學(xué)博士學(xué)位，?長期從事半導(dǎo)體光電子學(xué)研究，取得了一批世界首創(chuàng)、國內(nèi)領(lǐng)先的研究成果。2001年至2007年歷任新加坡科研局材料研究院研究員、首席科學(xué)家、新加坡國立大學(xué)電機(jī)工程系博士生導(dǎo)師，是“江蘇省高層次創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才引進(jìn)計劃”創(chuàng)新人才，江蘇省“333人才工程”中青年領(lǐng)軍人才，2010年江蘇省有突出貢獻(xiàn)的中青年專家，獲2011年江蘇省“333人才工程”突出貢獻(xiàn)獎，2011年中國產(chǎn)學(xué)研創(chuàng)新獎個人獎，教學(xué)獲批江蘇省一流本科課程，江蘇省材料學(xué)會教學(xué)成果一等獎。主持過多項國際合作項目，是國家2015年“863”主題項目“第三代半導(dǎo)體器件與評價技術(shù)”首席專家，2024年國家重點(diǎn)研發(fā)計劃戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作項目首席科學(xué)家，主持和參加多項國家“973”、“863”、國家自然基金、江蘇省重點(diǎn)研發(fā)項目等重大研究項目。申請國際發(fā)明專利7項，6項獲授權(quán)，申請國家發(fā)明專利90余件。共發(fā)表學(xué)術(shù)論文200余篇，其中SCI收錄190余篇。參與編著專著五部。?
“先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）”
??“先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）”是由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動。CASICON 系列活動以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn)，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動內(nèi)容。自活動啟動以來，足跡已走過南京、長沙、西安、深圳、成都、濟(jì)南、上海等城市，圍繞產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)熱點(diǎn)，通過“主題會議+推薦展示”的形式，搭建了良好的交流平臺，促進(jìn)了參與各方交流合作，捕捉合作新機(jī)遇，發(fā)揮了重要的橋梁與聚合價值。?
目前論壇組織正有序進(jìn)行中，論壇誠邀全產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家學(xué)者、企業(yè)、從業(yè)人士蒞臨現(xiàn)場交流研討、參觀&合作。日程安排及專家、報告人詳見下圖???
