?碳化硅（SiC）是一種前景廣闊的寬帶隙半導體材料，廣泛應用于功率器件、太陽能逆變器和電動汽車等大功率和高頻應用領域。近年來，碳化硅功率器件的市場正在迅速擴大，因此對更大直徑、更高質量的外延層的需求也變得越來越迫切。

?

陳丹瑩

中微半導體設備（上海）股份有限公司工藝主任工程師

近期，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。期間，“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”分會上，中微半導體設備（上海）股份有限公司工藝主任工程師陳丹瑩做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生長的CVD設備”的主題報告，分享了基于CFD模擬的SiC刀具設計優化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工藝結果等內容。

?

報告顯示，中微公司最新開發的可用于SiC外延生長的CVD平臺 – PRISMO PDS8，能夠兼容6和8英寸SiC襯底進行同質外延。結合數值模擬和實驗研究證明，氣相傳輸和反應前驅體的寄生沉積會導致晶圓表面上方氣相組分的重新分布。有效C/Si比，即晶圓表面上方碳原子對硅原子的摩爾比，對外延長速、氮摻雜效率及其均勻性有顯著影響。通過優化工藝，在6英寸4H-SiC襯底上外延生長得到高長速、高厚度及摻雜濃度均勻性、表面光滑及低缺陷密度的外延層：生長速率>50 μm/h，厚度和摻雜濃度不均勻性分別為1.15%和2.68%。

?

PRISMO PDS8同樣能夠在8英寸SiC襯底上生長高質量外延層，其厚度和摻雜濃度不均勻性分別能夠控制在<1.5%和<3%。使用氨氣代替氮氣作為N型摻雜源能夠進一步提升爐與爐的重復性。在此基礎上，成功實現了厚度超過50 μm的SiC外延層在8英寸襯底上的快速外延生長，獲得了低缺陷密度外延層，其厚度和濃度均勻性與13 μm外延層的水平相當。?

嘉賓簡介

陳丹瑩，本科及碩士畢業于中山大學，2019年于法國格勒諾布爾大學取得博士學位，她的主要研究方向為氮化鋁薄膜的高溫化學氣相沉積。博士畢業后，她在法國國家科學研究中心-SIMaP實驗室繼續從事碳化硅薄膜CVD生長的科研工作。2021年加入中微半導體設備（上海）股份有限公司后主要從事AMEC MOCVD產品的工藝開發工作。憑借在化合物半導體技術、材料表征和數值模擬方面的扎實知識，她參與開發了AMEC用于碳化硅外延的CVD系統的工藝開發，主要負責實現低缺陷密度、高生長速率及摻雜控制。?

公司簡介

中微半導體設備（上海）股份有限公司（股票簡稱：中微公司，股票代碼：688012）是一家以中國為基地、面向全球的微觀加工高端設備公司。中微公司基于在半導體裝備產業多年耕耘積累的專業技術，跨足半導體芯片前端制造、先進封裝、發光二極管生產、MEMS制造以及其他微觀制程的高端設備領域，其集成電路制造設備已被廣泛應用于國際一線客戶從65納米到5納米及更先進的芯片加工工藝，中微公司開發的用于LED和功率器件外延片生產的MOCVD設備在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場占據領先地位。中微公司的客戶遍布中國大陸和臺灣、新加坡、韓國、日本、德國、意大利等國家和地區。??

（根據現場資料整理，僅供參考）??