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廣東氣派科技申請 MOSFET 的封裝結構專利,采用封裝結構得到的 MOSFET 散熱性能佳

發表于:2024-10-25 來源:半導體產業網 編輯:

國家知識產權局信息顯示,廣東氣派科技有限公司申請一項名為“一種 MOSFET 的封裝結構”的專利,公開號 CN 118763060 A,申請日期為 2024 年 9 月。

專利摘要顯示,本發明提供了一種 MOSFET 的封裝結構,其包括 MOSFET 芯片、包覆所述 MOSFET 芯片的塑封體、設置于所述塑封體頂部的散熱片、從所述塑封體頂部一側引出且與所述散熱片相連接的漏極引腳、設置于所述漏極引腳對側且從所述塑封體頂部引出的柵極引腳和源極引腳,所述漏極引腳、所述柵極引腳和所述源極引腳都向所述塑封體底部方向延伸并彎折成鷗翼形狀采用本發明的 MOSFET 的封裝結構得到的 MOSFET 可適應多種安裝方式并且散熱性能佳。

 

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