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第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)將于2023年11月27-30日于廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。目前論壇征文活動(dòng)進(jìn)入尾聲階段,論文擴(kuò)展摘要&全文提交將于10月20日截至。請(qǐng)有意愿投稿者務(wù)必盡早提交。

香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄 共同推動(dòng)香港微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展10月13日 - 由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進(jìn)重點(diǎn)企

以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導(dǎo)體材料,相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體,在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多,發(fā)展前

以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導(dǎo)體材料,相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體,在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多,發(fā)展前

第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)將于2023年11月27-30日于廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。組委會(huì)結(jié)合高校院所實(shí)際情況,積極采納專家學(xué)者的建議,以及各高校學(xué)生投稿時(shí)間的需求,決定將論文擴(kuò)展摘要&全文提交截止日期延至10月20日。請(qǐng)有投稿意愿的投稿者務(wù)必于截止日前提交論文摘要。

9月19日,以半導(dǎo)體設(shè)備與新材料為主題的產(chǎn)學(xué)研對(duì)接會(huì)在北京大學(xué)東莞光電研究院(下稱北大光電院)召開(kāi)。來(lái)自激光器、Micro LED、

日程出爐!2023化合物半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)論壇將于10月12-13日在深圳召開(kāi)

9月15日,東科半導(dǎo)體(安徽)股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝

走進(jìn)光子信息與能源材料研究中心(以下簡(jiǎn)稱研究中心),一臺(tái)臺(tái)先進(jìn)增材制造的中小試設(shè)備正高效運(yùn)行,而在不久的將來(lái)該研究中心先

9月6-8日,三安半導(dǎo)體攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICONTaiwan2023,成功吸引行業(yè)關(guān)注,展示公司在第三代半導(dǎo)體研發(fā)和商業(yè)化進(jìn)程

9月6日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)在南京市江寧開(kāi)發(fā)區(qū)舉行。國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)一期項(xiàng)目竣工投產(chǎn)。國(guó)家第

走進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈鏈主企業(yè)山西爍科晶體有限公司小晶片釋放大能量一排排3米多高的碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備整齊排列,設(shè)備內(nèi)部超

9月2日),蘇州工業(yè)園區(qū)在桑田科學(xué)島舉辦國(guó)家生物藥技術(shù)創(chuàng)新中心、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(蘇州)總部大樓開(kāi)工儀式。江蘇

各有關(guān)單位:為進(jìn)一步貫徹黨中央國(guó)務(wù)院關(guān)于促進(jìn)中小企業(yè)發(fā)展、深化產(chǎn)教融合和創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略的決策部署,破解產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的實(shí)際

各有關(guān)單位:為貫徹落實(shí)黨中央國(guó)務(wù)院關(guān)于促進(jìn)中小企業(yè)發(fā)展、深化產(chǎn)教融合和創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略的決策部署,落實(shí)工業(yè)和信息化部、教

近日,半導(dǎo)體行業(yè)又一批項(xiàng)目迎來(lái)最新進(jìn)展,范圍涉及半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體制造、功率器件、半導(dǎo)體設(shè)備零部件等。展芯、城邁信創(chuàng)等項(xiàng)

2023化合物半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)論壇將于10月12-13日在深圳召開(kāi)。

該項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元,其中項(xiàng)目一期總投資100億元,可年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC MOSFET晶圓,包括外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝等。

今年第二季度,國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)正式發(fā)布了碳化硅半導(dǎo)體外延晶片全球首個(gè)SEMI國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)《4H-SiC同質(zhì)外延片標(biāo)準(zhǔn)》(Spec

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